RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
65
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
59
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2727
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link