RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2307
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link