RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link