RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link