RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
94
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
94
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1390
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-040.A01LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link