RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2936
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link