RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link