RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3463
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link