RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2104
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link