RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre 0000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link