RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
65
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link