RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
65
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
57
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2253
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link