RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link