RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3076
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link