RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
65
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
63
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link