RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2336
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link