RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
31
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3649
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link