RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3564
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link