RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,475.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
56
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8800
Wokół strony 1.93 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
17000
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
1511
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link