Porównanie pamięci RAM Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Wynik ogólny

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

56 74

Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

4 13.6

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

7.7 2,475.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 8800

Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

598 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns