RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
57
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
26
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3832
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link