RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
2616
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston X7C75G-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G3N18AES4.16FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link