RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2382
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link