RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2239
2283
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link