RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Porównaj
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.9
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2279
3084
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link