RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
4142
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link