RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2609
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link