RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
3604
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link