RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
7.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3938
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link