RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,769.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,482.7
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,769.9
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2271
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link