RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
1989
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link