RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
1897
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link