RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2123
2542
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link