RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
65
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2102
2041
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link