RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2510
2808
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link