RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1489
3004
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link