RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Porównaj
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
107
374
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.7
1.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
374
107
Prędkość odczytu, GB/s
0.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1.0
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
269
1022
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link