RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1917
1920
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link