RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3653
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link