RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2266
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link