RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2298
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link