RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2365
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Mushkin 996902 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link