RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3285
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link