RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
55
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
55
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2701
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link