RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
3291
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link