RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2758
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link