RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2726
1891
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link