RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
75
Wokół strony -317% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
18
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3402
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600X 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link