RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
75
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
45
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2414
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link