RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
30
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1984
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link